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取扱メーカー

社名 Wolfspeed, A Cree Company
所在地 4600 Silicon Drive Darham, NC 27703 USA
主な製品分野SiC(シリコンカーバイド)-FETおよびDIODE
Web Site http://www.wolfspeed.com/power

 Wolfspeed社(A Cree company)は28年以上にわたりCree社の1部門としてSiC(Silicon Carbide)とGaN(gallium nitride)の半導体の開発をリードし、次世代製品としてのSiCおよびGaNの実用化をリードしてきました。2015年10月に"Wolfspeed"という新たなブランドネームでの事業展開を開始しました。Wolfspeed社のワイドバンドギャップ半導体はパワーエレクトロニクスおよびRFアプリケーションに活用されていて、高効率化、スイッチングスピードの高周波化、これによるシステムの小型化や軽量化を実現しています。SiCの開発製造では業界最先端であり、SiC FETおよびSiC DIODEは多くの一般産業および太陽光発電装置で採用されています。なお、RichardsonRFPDでは同社のパワーエレクトロニクス用SiC(シリコンカーバイド)デバイスを取り扱っています。

CREE SiC ディスクリート品一覧(2015年5月現在)

SiC-MOSFETディスクリート品一覧(2015年5月現在)

C3M0065090J 900V 65mΩ 90mΩ 25A 7LD2PAK
C3M0065090A 900V 65mΩ 90mΩ 25A TO-220-3
C3M0065090D 900V 65mΩ 90mΩ 25A TO-247-3
C2M0025120D 1200V 25mΩ 34mΩ 43mΩ 63mΩ 1700μJ 60A TO-247-3
C2M0040120D 1200V 40mΩ 52mΩ 84mΩ 100mΩ 1400μJ 40A TO-247-3
C2M0080120D 1200V 80mΩ 98mΩ 150mΩ 208mΩ 400μJ 20A TO-247-3
C2M0160120D 1200V 160mΩ 196mΩ 290mΩ 400mΩ 140μJ 11A TO-247-3
C2M0280120D 1200V 280mΩ 370mΩ 530mΩ 650mΩ 70μJ 6A TO-247-3
C2M1000170D 1700V 1000mΩ 1400mΩ 2100mΩ 3200mΩ 15μJ 3A TO-247-3




SiC- SCHOTTKY DIODEディスクリート品一覧(2015年5月現在)

CSD01060A 600V 1A 2A 1.6mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 3.32nc TO-220-2
CSD01060E 600V 1A 2A 1.6mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 3.32nc DPAK
C3D1P7060Q 600V 1.7A 3A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 4.41nc QFN
C3D02060A 600V 2A 4A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 4.82nc TO-220-2
C3D02060E 600V 2A 4A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 4.82nc DPAK
C3D02060F 600V 2A 1.8A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 4.82nc Full-Pak
C3D03060A 600V 3A 5.5A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 6.72nc TO-220-2
C3D03060E 600V 3A 5.5A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 6.72nc DPAK
C3D03060F 600V 3A 2.2A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 6.72nc Full-Pak
C3D04060A 600V 4A 7.5A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 8.52nc TO-220-2
C3D04060E 600V 4A 7.5A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 8.52nc DPAK
C3D04060F 600V 4A 2.6A 1.5mΩ 1.7mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 8.52nc Full-Pak
C3D06060A 600V 6A 8.5A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 162nc TO-220-2
C3D06060G 600V 6A 9.5A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 162nc D2PAK
C3D06060F 600V 6A 3.3A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 162nc Full-Pak
C3D08060A 600V 8A 11A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 212nc TO-220-2
C3D08060G 600V 8A 11A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 212nc D2PAK
C3D10060A 600V 10A 14A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 252nc TO-220-2
C3D10060G 600V 10A 14A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 252nc D2PAK
C3D16060D 600V 16A 22A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 422nc TO-247-3
C3D20060D 600V 20A 28A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 502nc TO-247-3
C3D02065E 650V 2A 4A 1.5mΩ 1.8mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 4.82nc DPAK
C3D03065E 650V 3A 5.5A 1.5mΩ 1.8mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 6.72nc DPAK
C3D04065A 650V 4A 7.5A 1.5mΩ 1.8mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 8.52nc TO-220-2
C3D04065E 650V 4A 7.5A 1.5mΩ 1.8mΩ 1.8mΩ 2.4mΩ 8.52nc DPAK
C3D06065A 650V 6A 8.5A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 162nc TO-220-2
C3D06065E 650V 6A 8.5A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 162nc DPAK
C3D06065I 650V 6A 8.5A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 162nc TO-220-Iso
C3D08065A 650V 8A 11A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 212nc TO-220-2
C3D08065E 650V 8A 11A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 212nc DPAK
C3D08065I 650V 8A 7A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 212nc TO-220-Iso
C3D10065A 650V 10A 14A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 252nc TO-220-2
C3D10065E 650V 10A 14A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 252nc DPAK
C3D10065I 650V 10A 8.5A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 252nc TO-220-Iso
C3D16065D 650V 16A 22A 1.6mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 2.4mΩ 422nc TO-247-3
CVFD20065A 650V 20A 26A 1.35mΩ 1.45mΩ 1.65mΩ 1.8mΩ 621nc TO-220-2
C3D20065D 650V 20A 28A 1.5mΩ 1.8mΩ 2mΩ 2.4mΩ 502nc TO-247-3
C5D50065D 650V 50A 50A 1.5mΩ 1.8mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 1101nc TO-247-3
C4D02120A 1200V 2A 6A 1.4mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 3mΩ 113nc TO-220-2
C4D02120E 1200V 2A 7A 1.4mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 3mΩ 113nc DPAK
C4D05120A 1200V 5A 8A 1.4mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 3mΩ 283nc TO-220-2
C4D05120E 1200V 5A 9A 1.4mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 3mΩ 283nc DPAK
C4D08120A 1200V 8A 11A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 373nc TO-220-2
C4D08120E 1200V 8A 12A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 373nc DPAK
C4D10120A 1200V 10A 14A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 513nc TO-220-2
C4D10120D 1200V 10A 18A 1.4mΩ 1.8mΩ 1.9mΩ 3mΩ 563nc TO-247-3
C4D10120E 1200V 10A 16A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 513nc DPAK
C4D15120A 1200V 15A 20A 1.6mΩ 1.8mΩ 2.3mΩ 3mΩ 783nc TO-220-2
C4D20120A 1200V 20A 25.5A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 993nc TO-220-2
C4D20120D 1200V 20A 33A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 1023nc TO-247-3
C4D30120D 1200V 30A 43A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 1563nc TO-247-3
C4D40120D 1200V 40A 54A 1.5mΩ 1.8mΩ 2.2mΩ 3mΩ 1983nc TO-247-3
C3D10170H 1700V 10A 14.5A 1.7mΩ 2mΩ 3mΩ 3.5mΩ 765nc TO-247-2
C3D25170H 1700V 25A 26A 1.8mΩ 2.5mΩ 3.2mΩ 4mΩ 1825nc TO-247-2

CREE社 SiCによるハーフブリッジ評価キット

CREE社 SiCによるハーフブリッジ評価キット(ゲートドライバユニットとハーフブリッジユニット(SiC MOSFET x2, SiC DIODEx2))

製品型番: KIT8020-CRD-8FF1217P-1

製品概要: SiCのFETを評価するためのキットです。ゲートドライバユニット、ハーフブリッジユニット、ヒートシンク、のセット。細かい評価ジグの製作なしで、SiCのMOSFETとDIODEの性能を評価できます。 SiCのFETとDiodeが2つづつ搭載されており、ハーフブリッジをはじめとする計8タイプの回路動作の確認が可能です。

   ■ データシート
   ■ ユーザーマニュアル
   ■ 製品情報詳細(英語、弊社米国サイトへ)

8つの回路オプション

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A
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B
Bomar Interconnect
Bonitron
C
Carlisle Interconnect Technologies
Cinch Connectivity Solutions
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Crystek
CTS Electronic Components
D
Dynex
E
Electronic Devices
Empower RF Systems, Inc.
EUROPTRONIC
F
Fractus
G
GaN Systems
General Electric
Genteq
Gore
H
Honeywell
HUBER+SUHNER
I
Illinois Capacitor
Innovative Power Products
IQD Frequency Products
J
Johanson Manufacturing
K
KEMET
Kendeil
L
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Lime Microsystems
Linx Technologies
LS Research
M
M/A-COM Technology Solutions
Maestro Wireless Solutions
Maxtena
Maxwell Technologies
Microsemi
Molex
N
NDK America
NewEdge Signal Solutions
NXP Semiconductor
O
Ohmite
P
Pacific Monolithics
PCTEL
Peregrine Semiconductor
Polyphaser
Power Integrations
Powerex
Priatherm
R
Radiall
Radiall-AEP
Raltron
RECOM Power, Inc.
Redpine Signals
Renesas
RF Industries
Richardson RFPD
Roving Networks/Microchip
S
Sage Millimeter
Sarantel
SDT Technology
Semikron
Sierra Wireless
Skyworks Solutions, Inc.
StarPower
STMicroelectronics
SV Microwave
T
Tamura
Taoglas
TE Connectivity
Teledyne Coax
Teledyne Relays
Telegesis
TRU Corporation
TT electronics Semelab
U
United Chemi-Con
United Monolithic Semiconductors
V
Valpey Fisher
Vincotech
W
Wakefield-Vette
WanTcom
Wavelex
Wolfspeed, A Cree Company
Y
Y-Lynx
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